姑苏材料论坛第26期百及纳米科技周
用原子尺度探针技术实现纳米器件制作和表征的技术创新
当芯片的技术节点进入5nm时代，再进一步进入3nm时代，当量子计算技术提升至国家战略高度的时候，相应的下一代纳米器件制作和表征手段必须更精确。亚纳米级器件制造和表征技术将成为最核心的关键技术之一。在此背景下，百及纳米利用探针技术提出了一系列不同于传统技术路线的原子尺度上的器件制作和表征技术方案，取得了国际 的技术研发成果，也赢得了专业人士与市场的广泛认可。4月6日，公司创始人兼首席科学家周向前博士受邀在姑苏材料论坛发表了题为“用原子尺度探针技术实现纳米器件制作和表征的技术创新”的报告。报告中，周博士围绕探针技术具体讲了以下三大应用场景：（一）、新一代电子束光刻技术
传统电子束光刻机从原理上决定了进一步提高写场拼接精度和光刻机工作稳定性的局限性，和制作纳米级大面积图形的困难。本发明引进了亚纳米级精度的真空探针技术，从原理上改进了电子束光刻机控制系统，实现了电子束的单纳米级原位校准。利用探针技术实现超高精度拼接（套刻）定位，在不增加晶圆工作台的纳米级定位要求的前提下，获得单纳米级国际 水平的光刻拼接精度。该专利技术不仅可以应用于超高拼接精度电子束光刻机，同样可以应用于工业型超高套刻精度步进式紫外光学光刻机。
（二）、扫描探针电子束光刻技术与传统电子束光刻技术相比，探针电子束光刻的纳米结构制作的优势在于稳定的表征－曝光－表征的闭环控制定位优势和低能电子的无邻近效应优势，适合于制造3-5nm以下线宽的高精度结构和亚纳米级的写场拼接精度。探针光刻无电子枪和复杂聚焦光路，在大气下即可完成光刻工艺，是二维材料结构直接原子层刻蚀和光刻的有效光刻技术。年德国团队成功研发了尺寸1.8纳米能在室温下工作的单电子晶体管。单电子晶体管是制造下一代低功耗、高密度集成电路富有前景的纳米电子功能器件之一。通过并行探针的同时工作，可以极大地提高探针光刻速度，实现产业化光刻应用。(三)、单纳米级 定位的单离子注入技术
纳米器件尺寸的减小提出了在数纳米空间范围内实现单个离子注入的技术需求。百及纳米的单离子注入技术能够在数纳米范围内精确控制注入杂质种类、数量和位置，使得制作体内原子级阵列结构和器件成为可能，是制备短沟道电子器件（ 掺杂）和用于量子计算机的量子耦合器件的核心技术之一。应用该技术，可实现间接带半导体材料硅在1.3μm的直接带高量子效率的发光，为实现硅基光电芯片的制作拓展了全新的技术路径（Prof.Meijer,UniLeipzig,NatureCommun10,,）。预览时标签不可点收录于话题#个上一篇下一篇转载请注明：http://www.abuoumao.com/hyfz/447.html
